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【固态硬盘】三星990EVO 1TB-测试简报

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文章发表:2024-02-25 最后编辑:2024-02-25
来自合集: 数码科技(停更)

基本信息

型号:MZ-V9E1T0

名称:SAMSUNG 990 EVO 1TB

规格:单面,1闪存颗粒,1主控(2TB为2闪存颗粒)

接口:PCIe 4.0 ×4 / PCIe 5.0 ×2,NVMe 2.0

外形:M.2 2280(80mm×22mm×2.30mm)

主控:三星Piccolo 5nm

缓存规格:DRAM-Less(HMB)

闪存:三星V6P 133-Layer TLC

理论寿命:600 TBW(2TB为1200TBW)

保修:5年

理论顺序读取:5000MB/s

理论顺序写入:4200MB/s

理论随机读取:680K IOPS(2TB为700K IOPS)

理论随机写入:800K IOPS

实际测试

SLC缓存约为110GB,TLC直写速度约为450MB/s左右,表现一般

简评

在固态硬盘近几个月来集体涨价的大趋势下,三星在价格上依旧保持着最贵的位置。679元的中端4.0 1TB固态性价比非常一般,不是很推荐入坑。不过比较特殊的是,这个固态支持PCIe 4.0 ×4 / PCIe 5.0 ×2两种规格,对设备兼容性的要求有所下降,同时换用了最新的三星自研Piccolo主控,采用5nm工艺,理论峰值功耗为5.94W,属于偏低的类型。

但实际使用中发现其温度墙仅为65度,同时功耗虽低但发热并不低,随随便便就能撞墙限速,对笔记本平台非常不友好,因此这个固态仅适用于散热良好的台式机。购买此固态纯属作测试用,该产品在性价比上毫无优势可言,加上三星此前的0E门事件和990Pro的健康度事件,也非常不推荐任何人再选择三星的产品。

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